新经网加利福尼亚州戈尔塔-(美国商业资讯)-TransphormInc.-设计和制造首批具有最高可靠性的JEDEC和AEC-Q101合格的高压氮化镓(GaN)功率半导体的领导者-今天确认了该客户AES飞机Elektro/ElektronikSystemGmbH发布了首批650VGaN基电源。AES服务于航空航天行业，并通过从电气工程到认证和测试的各种产品和服务为客户提供支持。目前，该公司最新的开关电源已被主要的CS-25飞机制造商使用(例如，在空客A318-A321，A330，A340，A380和波音B767，B787VIP飞机上使用)，并使用Transphorm的GaN-FET与基于竞争的有机硅PSU相比，将系统的整体效率提高了10%以上。
“Transphorm设计了其GaN器件，以赋予设计师权力，而不是挑战他们
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两个基于GaN的开关电源是PS250X-500W系统和PS6120-1200W系统。两种产品都支持96-130VAC/360Hz-800Hz的输入电压，对于500W系统，在15A时持续输出28VDC，对于1200W系统，则为42A。
此外，AES还对PS250X和PS6120进行了DO-160认证，这符合航空无线电技术委员会(RTCA)超过25点的严格标准。该标准评估了系统在各种外部和内部条件(从压力和温度到尖峰和RF辐射)下对飞机的影响和性能。
旗舰产品500WPS250X是业界首款420W的被动冷却电源，在单相“CCM升压功率因数校正”(PFC)拓扑结构中使用TransphormsGaN。它在满载时的整体效率超过92%，比竞争对手高10%以上。在满载情况下，在115VAC/400Hz输入下，该系统还提供超过0.98的功率因数和200mVss的标称功率。全部都在1.4千克(〜3磅)的最终产品内。
1200瓦PS6120在风扇冷却的三相CCMBoostPFC拓扑中使用Transphorm的GaN。在满负载情况下，其整体系统效率超过91.5%，比竞争对手高11.5%。在满负载下输入115VAC/400Hz的情况下，PS6120还提供与PS250X500W电源相同的功率因数和相同的额定纹波。全部在4.0千克(〜8.8磅)的最终产品内。
博士说：“航空业正在努力以任何方式减少气候影响。”AES能力中心权力主管AndreasHammer。“考虑到我们要求TransphormsGaN代替我们用来提供更高效，更简单的电源的硅MOSFET。当您考虑到每架飞机都使用多个此类电源时，这些资源可能会产生重大影响。经过仅一年的重新设计，我们能够为客户提供更好的能源解决方案，同时提高了我们自己行业的性能极限。”
GaN选择工艺
AES对该技术固有的更高开关频率很感兴趣，并测试了多家GaN组件半导体制造商的GaN断路器转换器。该公司最终选择Transphorm的650VGaN技术，主要是因为其易驱动性和设计能力-主要是因为Transphorm的GaNFET不需要定制驱动器。这样可以简化系统设计，而工程师可以使用他们已经熟悉的技术(即驱动程序和软件包)来操作交换机。影响AES选择的其他因素是Transphorm的可靠可靠性-GaN平台强调了这一点，该GaN平台在175°C时获得了JEDEC和AEC-Q101认证。
Transphorm全球技术营销副总裁兼北美销售副总裁PhilipZuk说：“Transphorm设计其GaN器件是为了赋予设计师权力，而不是挑战他们。我们的常关型两开关GaN器件可用于标准外壳和需要最少的支持电路来驱动它们，这减小了整个系统的尺寸，提高了可靠性，并简化了设计。对我们而言，重要的是我们的客户可以用他们信任的产品迅速进入市场。我们很荣幸成为AES'GaN的供应商，并为他们赞赏我们为将GaN技术的好处带给公众所做的工作而感到自豪。”
